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半导体封装用薄膜
特性：
● 半导体QFN/DFN封装用薄膜；
● 具有耐热分子设计的PI粘合剂层；
● 无排气，无残留，不伤流
| ICF™-LFB (半导体QFN/DFN封装用薄膜) | |||
| 类型 | L | H | ICF_205LD |
| 膜温 | ~100℃ | 220~250℃ | 225℃ |
| 临界膜温 | R.T.* | R.T.~200℃ | |
| 混合物温度 | ~400℃ | 400℃ | 400℃ |
| 粘合后的剥离强度 | 190gf/cm (200℃, 90min) | ~250gf/cm (200℃, 90min → 230℃, 30min) | 700gf/cm (225℃, 90min) |
| 胶层厚度 | 3~5㎛ | 1.5㎛ | 1㎛ |
| 脱胶后的残留物 | 无 | ||
| CTE | ~20 | ||
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加热器用薄膜
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