新闻中心

新闻中心

NEWS CENTER

WLCSP晶圆级芯片封装技术

发布时间：

2021-11-09

WLCSP(Wafer Level Chip Scale Packaging)即晶圆级芯片封装方式，不同于传统的芯片封装方式(先切割再封测，而封装后至少增加原芯片20%的体积)，此种最新技术是先在整片晶圆上进行封装和测试，然后才切割成一个个的IC颗粒，因此封装后的体积即等同IC裸晶的原尺寸。

WLCSP晶圆级芯片封装技术

　　WLCSP(Wafer Level Chip Scale Packaging)即晶圆级芯片封装方式，不同于传统的芯片封装方式(先切割再封测，而封装后至少增加原芯片20%的体积)，此种最新技术是先在整片晶圆上进行封装和测试，然后才切割成一个个的IC颗粒，因此封装后的体积即等同IC裸晶的原尺寸。

　　WLCSP的封装方式，不仅明显地缩小内存模块尺寸，而符合行动装置对于机体空间的高密度需求;另一方面在效能的表现上，更提升了数据传输的速度与稳定性。

　　WLCSP的特性优点

　　-原芯片尺寸最小封装方式：

　　WLCSP晶圆级芯片封装方式的最大特点便是有效地缩减封装体积，故可搭配于行动装置上而符合可携式产品轻薄短小的特性需求。

　　-数据传输路径短、稳定性高：

　　采用WLCSP封装时，由于电路布线的线路短且厚(标示A至B的黄线)，故可有效增加数据传输的频寛减少电流耗损，也提升数据传输的稳定性。

　　散热特性佳

　　由于WLCSP少了传统密封的塑料或陶瓷包装，故IC芯片运算时的热能便能有效地发散，而不致增加主机体的温度，而此特点对于行动装置的散热问题助益极大。

　　WLCSP可以被分成两种结构类型：直接BOP(bump On pad)和重新布线(RDL)。

　　BOP即锡球直接长在die的Al pad上，而有的时候，如果出现引出锡球的pad靠的较近，不方便出球，则用重新布线(RDL)将solder ball引到旁边。

　　最早的WLCSP是Fan-In，bump全部长在die上，而die和pad的连接主要就是靠RDL的metal line，封装后的IC几乎和die面积接近。Fan-out，bump可以长到die外面，封装后IC也较die面积大(1.2倍)。

　　Fan-in: 如下流程为Fan-in的RDL制作过程。

　　Fan-Out: 先将die从晶圆上切割下来，倒置粘在载板上(Carrier)。此时载板和die粘合起来形成了一个新的wafer，叫做重组晶圆(Reconstituted Wafer)。在重组晶圆中，再曝光长RDL。

　　Fan-in和Fan-out 对比如下，从流程上看，Fan-out除了重组晶圆外，其他步骤与Fan-in RDL基本一致。

上一页

柔性LED屏介绍

无

下一页

上一页：

柔性LED屏介绍

下一页：

无

推荐新闻

分享到

返回列表